ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Wechselrichter-Brett IGCT-Modul
Beschreibung
| Herstellung | ABB |
| Modell | 5SHY4045L0001 |
| Bestellinformationen | 3BHB018162 |
| Katalog | VFD-Ersatzteile |
| Beschreibung | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Wechselrichter-Brett IGCT-Modul |
| Herkunft | Vereinigte Staaten (US) |
| HS-Code | 85389091 |
| Dimension | 16 cm x 16 cm x 12 cm |
| Gewicht | 0,8 kg |
Details
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ist ein integriertes Gate-kommutiertes Thyristorprodukt (IGCT) von ABB und gehört zur 5SHY-Serie.
IGCT ist ein neuer Typ elektronischer Geräte, der Ende der 1990er Jahre auf den Markt kam.
Es kombiniert die Vorteile von IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) und GTO (Gate Turn-Off Thyristor) und zeichnet sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeit, große Kapazität und große erforderliche Antriebsleistung aus.
Insbesondere entspricht die Kapazität von 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 der eines GTO, seine Schaltgeschwindigkeit ist jedoch zehnmal schneller als die eines GTO, was bedeutet, dass der Schaltvorgang in kürzerer Zeit abgeschlossen werden kann und somit die Effizienz der Leistungsumwandlung verbessert wird.
Darüber hinaus kann bei IGCT im Vergleich zu GTO die große und komplizierte Snubber-Schaltung eingespart werden, was zur Vereinfachung des Systemdesigns und zur Kostensenkung beiträgt.
Es ist jedoch zu beachten, dass IGCT zwar viele Vorteile bietet, die erforderliche Antriebsleistung jedoch immer noch groß ist.
Dies kann den Energieverbrauch und die Komplexität des Systems erhöhen. Obwohl IGCT versucht, GTO in Hochleistungsanwendungen zu ersetzen, steht es weiterhin in starker Konkurrenz zu anderen neuen Bauelementen (wie IGBT).
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integrierte Gate-Kommutierungstransistoren|GCT (Integrated Gate Commutated Transistors) ist ein neues Leistungshalbleiterbauelement, das in riesigen Leistungselektronikgeräten verwendet wird und 1996 auf den Markt kam.
IGCT ist ein neues Hochleistungs-Halbleiterschaltgerät auf Basis der GTO-Struktur, das eine integrierte Gate-Struktur für die Gate-Festplatte verwendet, eine Puffer-Mittelschichtstruktur und eine Anoden-Transparent-Emitter-Technologie nutzt und über die Durchlasseigenschaften eines Thyristors und die Schalteigenschaften eines Transistors verfügt.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 verwendet eine Pufferstruktur und eine flache Emittertechnologie, die den dynamischen Verlust um etwa 50 % reduziert.
Darüber hinaus integriert dieser Gerätetyp auch eine Freilaufdiode mit guten dynamischen Eigenschaften auf einem Chip und realisiert dann auf einzigartige Weise die organische Kombination aus geringem Durchlassspannungsabfall, hoher Sperrspannung und stabilen Schalteigenschaften des Thyristors.
